5G商用给滤波器行业带来巨大的发展机会,作为无线通讯系统射频前端最重要的核心器件,滤波器/双工器的市场需求持续增长。诺思作为国际领先的体声波滤波器(BAW)供应商,经过多年深耕,在产品的研发和推广方面取得了全面的进展。2019年至今,为满足客户国产化替代的迫切需求,诺思在已陆续发布多款高性能BAW滤波器基础上,进一步推出了覆盖Band1,Band2,Band3,Band4,Band5,Band7,Band8(表一)的全套基于BAW工艺的高性能双工器系列产品,及支持载波聚合的Band1+3四工器。诺思现有产品能够覆盖全球智能手机滤波芯片70%的市场份额,这也标志着诺思在滤波器、双工器、多工器领域的完整布局。我们相信,射频滤波芯片大规模全面国产替代的趋势即将爆发,我国各类无线终端企业供应链也将彻底告别受制于人的历史。
诺思致力于工艺、设计与产品的技术研发,通过采用先进的射频滤波设计方案和新一代BAW滤波器工艺技术(谐振器品质因数Q值高达5000),诺思双工器产品性能已比肩或超越国际一流厂商的产品性能,并在多家国内知名企业通过验证,完全满足客户的应用需求。
诺思双工器产品开始形成系列化及批量化生产与应用,将为国内众多客户提供非常有价格竞争力、可直接Pin-to-Pin替代的双工器解决方案。同时,诺思提供多样化的产品形式,包括塑封芯片、WLP封装芯片或裸die,以满足终端、基站、模组等不同客户的需求。通过优良的产品性能及丰富的产品形式,诺思必将引领突破当前双工器市场被国外厂商垄断的局面。
将ROFS双工器产品与国外主流竞品进行对比测试,部分数据(测试于+25℃)显示如下:
图1:Band1通带更低的插入损耗。TX插损优于竞品0.2dB,RX优于竞品0.5dB
图2:Band2更优的隔离度,将近10dB的优势带来了接收端口(RX)更加优异的接收灵敏度
图3:Band3兼容通带低损耗与高滚降,已成为市场最优选择之一
图4:Band4通带更低的插入损耗,TX优于竞品0.3dB,RX优于竞品1dB
图5:Band5通带更低的插入损耗,TX优于竞品0.2dB,RX优于竞品0.5dB
图6:Band7通带更低的插入损耗、更好的平坦度
图7:Band8通带更低的插入损耗,TX优于竞品0.4dB,RX优于竞品0.8dB
诺思双工器具有低插损、高带外抑制、高隔离度和高功率容量(>30dBm)等优良特性,主推尺寸为目前主流的1814(1.8mm*1.4mm)封装,同时也提供下一代更小尺寸1612(1.6mm*1.2mm)封装,为日渐小型化的终端客户设计提供更灵活的选择。
诺思公司将把握5G发展的巨大机会,持续为终端客户设计提供更灵活、更优性能、更具性价比的器件选择,同时协同产业链上下游各个环节,继续实现技术与市场的突破,进一步推动我国滤波器产业的发展。